據媒體報道，近日，三安光電董事、副總經理林志東在受訪時表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，今年三安光電砷化
江蘇路芯半導體技術有限公司掩膜版生產項目迎來重要進展——首批工藝設備機臺成功搬入，標志著項目邁入新的階段。
中國科學院上海微系統所異質集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。
觀勝半導體科技(合肥)有限公司動土儀式在合肥隆重舉行
中南大學汪煉成聯合中科院半導體研究所、湖南大學團隊等近年一直致力原位集成超表面光場調控Micro-LED器件研究。
上海應用技術大學材料科學與工程學院房永征、劉玉峰教授團隊與國科大杭州高等研究院及美國麻省理工學院（MIT）等國內外單位合作，在二維半導體材料異質外延方面取得重要進展。
順義科創集團投資建設的第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）主體結構順利封頂。
據順義科創官微披露消息，近日，瑞能微恩半導體（北京）有限公司廠房項目已完成全部施工內容，擴建工程已通過竣工驗收。據悉，瑞
2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航！
江蘇超芯星半導體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷
株洲中車時代半導體有限公司發生工商變更，新增國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司
中科飛測擬投資14.81億元用于高端半導體項目
賽微電子（SZ 300456）12月6日午間發布公告，為避免相關信息對廣大投資者造成誤導，現予以澄清說明。
2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航，現誠摯邀請全球化合物半導體技術領域的專家學者、行業領航者及創新先鋒蒞臨盛會，發表精彩演講，共享智慧火花，攜手點亮化合物半導體行業的輝煌未來。
期間，“超寬禁帶半導體技術 I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。
清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。
“第三代半導體標準與檢測研討會”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導體標準與檢測相關的最新進展。
期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。
荷蘭半導體企業恩智浦 NXP 與臺灣地區特殊制程代工廠商世界先進 VIS 雙方合資（股權比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。
一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司泄漏20納米DRAM內存芯片技術，遭逮捕并移送檢方。