1月10日，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業總會（FHK
天眼查顯示，深圳基本半導體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布號為
天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數的數據處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申
該調查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導體制造投入的晶片生產的影響。
國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153
武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證
半導體產業網獲悉：近日，根據破產資訊網披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市
天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！
天岳先進將繼續秉持“先進 品質 持續”的理念，堅持自主創新，品質引領，為碳化硅行業的廣闊發展貢獻天岳力量。
“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅動器”的主題報告，分享了相關研究進展。
合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區開業運營。
安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術
江蘇超芯星半導體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷
“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，專家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術的發展。
期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。
”碳化硅功率器件及其封裝技術 I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發展現況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內容。
天岳先進攜全系列碳化硅襯底產品精彩亮相，并隆重發布了行業領先的300mm碳化硅襯底產品。
天科合達官微宣布，公司“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。
上海林眾電子科技有限公司智能質造中心啟用儀式在車墩鎮舉行。
納微半導體今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。