碳化硅功率器件具備優越的耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，解決了傳統硅基器件難以滿足的性能需求，受到市場廣泛歡迎。在過去1年多的時間里，國內碳化硅產業經歷了快速發展。
意法半導體（簡稱 ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。
近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產業化項目環境影響報告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產業化項
2024年4月8-11日，國內化合物半導體領域規模最大、規格最高的標桿性展會2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會將在武
科友半導體官微消息，2024年3月27日，科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰略合作協議，開展八英寸碳化硅完美籽晶的項目合作。
長江日報3月26日訊（記者 李琴 通訊員 張希為）激光飛旋，智能化生產線上，一片碳化硅晶圓完成了切割，崩邊尺寸在5微米以內，達
該項目為廣東省2022年和2023年重點建設項目、深圳市2022年和2023年重大項目，是深圳加快第三代半導體產業發展的重要布局。
碳化硅作為第三代半導體，其實并不是新鮮概念。
2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷
2023年是半導體市場承壓和庫存整理的年份，但其中也有明顯逆勢而上的產業——碳化硅（SiC）市場。
進入21世紀以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。
這個問題促使香港科技大學和中國其他三所機構的16名研究人員組成的團隊不斷思考。經過多年努力，他們終于成功制造出一種晶體管，他們稱之為混合場效應晶體管（HyFET）。
據丹陽延陵鎮官微消息：1月18日，延陵鎮黨委書記張金偉會見了浙江博藍特半導體科技股份有限公司徐良董事長以及松樹基金投資經理
今日，意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，
國家第三代半導體技術創新中心（南京）牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術創新聯合體成功入選
2011年，國內碳化硅產業的幼苗經歷十余年發展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國內導電型碳化硅產品和技術布局剛開始，產業基
中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目是2023年山西省重點工程項目，是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內卓越、世界一流的碳化硅材料供應商”這一目標打造的一張關鍵“拼圖”。
近日，中國科學院黨組公布了2023年中國科學院年度人物和年度團隊名單，共有8個個人和團隊獲獎。其中物理所陳小龍研究員獲得年度
自8月首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線以來，九峰山實驗室持續攻克碳化硅工藝技術難關。近日，實驗室在碳化硅超結領域取得新進展：
陽光電源高級工程師，中央研究院光儲中小功率業務主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源領域的應用和挑戰“的主題報告，分享了SiC器件在新能源行業應用的機遇、挑戰，以及SiC器件在陽光電源應用的實踐等內容。