據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM企業(yè)，當(dāng)前有兩個(gè)fab。

其中，F(xiàn)ab1當(dāng)前已實(shí)現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預(yù)計(jì)2024年底產(chǎn)能將達(dá)到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，GaN當(dāng)前產(chǎn)能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線將于2024年底通線，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。彭建華表示，方正微電子當(dāng)前已建成的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，中國第一。

據(jù)介紹，方正微電子工規(guī) SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產(chǎn)品已于2023年一季度開始大規(guī)模量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用在光伏、儲(chǔ)能、充電、UPS、工業(yè)電源等領(lǐng)域，目前已出貨SiC晶圓超4萬片。除SiC功率器件外，方正微電子開發(fā)的GaN系列功率器件產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于消費(fèi)快充、PC電源、服務(wù)器電源等場(chǎng)景。