半導體產業網訊：據“鎵仁半導體”公號消息，2024年12月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）在超寬禁帶半導體材料領域取得重大突破。公司與下游客戶攜手，對鎵仁半導體(010)面氧化鎵半絕緣襯底進行了深入的器件驗證工作。成功制備了性能卓越的增強型晶體管，其擊穿電壓高達2429V，相較于進口襯底的器件驗證結果，性能指標實現了顯著提升。這一成就不僅展現了鎵仁半導體在氧化鎵襯底技術方面的領先地位，也為國產氧化鎵襯底在功率器件量產應用的道路上，奠定了堅實的基礎。

擊穿曲線

性能參數領先

在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）晶面具有獨特的物理特性，使其在外延與器件方面具有出色的表現。首先，(010)襯底熱導率最高，有利于增強器件散熱，提升功率器件性能；其次，(010)襯底具有較快的外延生長速率，提升外延效率。

基于鎵仁半導體提供的(010)面氧化鎵半絕緣襯底，下游器件客戶實現了開關比大于10的7次方，擊穿電壓高達2429V的增強型晶體管，器件柵漏間距30 μm，柵寬3 μm，關態漏電~10-7mA/mm，在同等條件下，鎵仁襯底的器件指標顯著優于進口襯底的器件驗證結果（2080V）。

轉移曲線

輸出曲線

技術創新與產業突破

鎵仁半導體的這一進展得益于其在氧化鎵單晶生長技術上的不斷創新。

2024年3月，公司采用楊德仁院士團隊自主開創的鑄造法，成功制備了6英寸高質量氧化鎵單晶襯底。

2024年4月，鎵仁半導體推出了2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現了自主量產，成為全球唯一的晶圓級(010)氧化鎵襯底供應商。

2024年9月，公司又推出了首臺國產氧化鎵專用VB法長晶設備，填補了國內技術空白，進一步助力國產氧化鎵材料行業的發展。

國際競爭中的新優勢

面對日益嚴峻的國際形勢，尤其是氧化鎵材料禁運政策的挑戰，鎵仁半導體的技術突破顯得尤為重要。此次下游客戶在鎵仁半導體襯底上實現的器件性能超越了進口產品，進一步證明了鎵仁半導體材料技術的競爭力，公司的創新成果不僅助力國內產業打破國際壟斷，還推動了行業的高質量發展。

總結與展望

杭州鎵仁半導體有限公司的這一技術突破，不僅展示了中國在第四代半導體材料領域的強大實力，也為全球半導體產業的發展貢獻了中國智慧。隨著技術的不斷進步和產業化應用的加速，鎵仁半導體有望在未來的半導體產業中扮演更加重要的角色。