4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達成戰略協議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術授權。 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商，在半導體制造領域擁有深厚的技術積累和豐富的生產經驗。瑞薩電子則是全球領先的半導體解決方案供應商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業知識，提供完整的半導體解決方案。
此次雙方達成戰略協議，Polar Semiconductor 將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵技術授權，并在其明尼蘇達州工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓650V級硅基氮化鎵器件。據悉，Polar Semiconductor 明尼蘇達州工廠最近擴建了最先進的加工和自動化設備，旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。 Polar Semiconductor 總裁兼首席運營官 Surya Iyer 表示：“這項許可和商業生產協議強調了我們對加強美國半導體生態系統的承諾。GaN 是電源和射頻領域改變游戲規則的技術，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業生產，推動下一波半導體創新。” 瑞薩電子電源產品集團高級副總裁兼總經理Chris Allexandre說：“我們很高興與Polar合作，將我們經過驗證的氮化鎵技術擴展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉換市場中利用我們的專業知識，從基礎設施和人工智能到能源和工業到電動汽車和電動汽車到高價值物聯網。”