?集微網報道 4月19日-21日，“2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)大會”在武漢光谷舉行。

在開幕式上，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲作了題為《化合物半導體產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨演講，就產業(yè)發(fā)展目前的形勢，存在的問題，面臨的挑戰(zhàn)等方面的問題分享了觀點看法。

吳玲指出，新一輪科技和產業(yè)變革將顛覆性影響人類未來發(fā)展，改變生產、生活、思維方式，重塑生產關系和經濟模式。

如今，顛覆性技術正在不斷涌現，包括基于新原理的新材料、新器件、同質異質、同構異構集成、“AI+”和AI for Science等。由此帶來生成式AI、太空技術、低碳技術、基因生物技術等。而在這些眾多技術中，半導體是核心底層技術，國際半導體新趨勢則是電子、光子和量子集成及耦合。

吳玲認為，當前正值全球半導體格局重塑的歷史關鍵期，形成了新材料驅動的半導體發(fā)展新戰(zhàn)略，第三代半導體將成為保障國家安全的戰(zhàn)略物資基礎，并支撐經濟的高質量發(fā)展。

在化合物半導體方面，吳玲指出，經過多年發(fā)展，我國技術實力提升，市場快速啟動，形成了較為完整的產業(yè)鏈。經過十二五、十三五的努力，基本解決了有無問題，十四五重點解決能用好用及可持續(xù)創(chuàng)新能力的問題。雖然具備了全創(chuàng)新鏈研發(fā)能力，但全產業(yè)鏈整體競爭力不強，核心材料和關鍵裝備仍然是卡脖子瓶頸。

2022年，我國第三代半導體產值6892億元（其中半導體照明6750億元，功率電子和微波射頻兩個領域總產值141.7億元，較2021年增長11.7%。SiC、GaN電力電子產值規(guī)模達74.3億元，同比增長28.33%。GaN射頻電子產值67.4億元，較上年持平）

吳玲指出，目前產業(yè)存在四方面問題：

1、國際政治和經濟環(huán)境急劇變化，部分核心材料和設備被封鎖危險加劇、進口受阻、交付周期拉長，設備漲價。

2、核心材料芯片產業(yè)能力亟待突破。國產化率低，良率低，一致性差，工藝亟待改良，性價比差，專利布局與質量較弱。

3、投資分散，企業(yè)估值偏高，產生投資泡沫，項目低水平重復投入，產業(yè)無序競爭。

國產替代應用信心不足，特別是國產核心器件和國產裝備比率低。

此外，化合物半導體產業(yè)還面臨如下幾方面的挑戰(zhàn)：

缺乏國家戰(zhàn)略、長期穩(wěn)定的只支持科技力量的科研計劃投入及系統(tǒng)性推進實施策略。原始創(chuàng)新能力不足，產業(yè)技術積累不夠。

企業(yè)小、散、弱，低水平同質競爭，集中度低。新興產業(yè)發(fā)展初期，未形成規(guī)模化應用和龍頭企業(yè)，缺乏有效實現產業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的機制。

缺乏企業(yè)有效參與、開放的研發(fā)中試平臺，特別是材料和裝備的驗證平臺。標準、檢測認證、質量評價體系相比發(fā)展進程落后。

4、依賴行政資金研發(fā)投入不足，缺乏鼓勵社會資本參與中早期研發(fā)的機制和通道。存在政府、市場雙失靈的現象。

但同時，吳玲也指出，我國化合物半導體產業(yè)面臨著巨大的發(fā)展機遇，包括：

1、全球最大市場已啟動（新型電力系統(tǒng)、高鐵、新能源汽車、5G/6G通信，半導體照明及超越照明、工業(yè)電機及消費電子市場等），應用需求驅動技術創(chuàng)新。

2、20年技術儲備，單項冠軍（黃綠光LED），國際半導體產業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的壟斷，與國際先進水平差距不大，有機會實現超越。

3、與集成電路相比，投資門檻不高，對工藝尺寸線寬，設計復雜度，裝備精密制造要求相對低。

4、下游應用企業(yè)基于供應鏈安全的考量，國家政策支持和資本市場活躍，國產化替代空間大。

針對當下的形勢和挑戰(zhàn)，吳玲提出幾點建議和思考：

一、以應用促發(fā)展，培育龍頭，加快迭代研發(fā)，推動產業(yè)集群。

1、統(tǒng)籌中央與地方形成合力，帶動企業(yè)和社會資本投入，開展“百城億芯”示范工程，帶動國產材料，芯片，封測，應用關鍵環(huán)節(jié)技術加速成熟，通過示范應用加速工程化技術迭代提升，培育細分領域龍頭企業(yè)，推動形成規(guī)模化生產能力。

2、優(yōu)化產業(yè)布局和產業(yè)結構，形成特色產業(yè)集聚，增強自主可控的技術鏈和產業(yè)鏈，支撐知識產權、測試、標準、認證系統(tǒng)設計等體系化能力建設。

3、建立設備示范線，組織設備制造商，用戶、工藝、配件、耗材等多方面力量協(xié)同創(chuàng)新，提升產業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力。

二、推進新形勢下精準深入的國際科技合作。

1、擺脫當前地緣政治對半導體合作的影響，突破政府間項目合作的瓶頸，加強非政府間合作，快速建立精準的分區(qū)域合作體系和策略，探索市場化的渠道和企業(yè)間的合作方式。

2、面向“金磚五國”、“一帶一路”沿線國家，在標準，國際市場等領域找到突破口；面向歐亞等產業(yè)鏈環(huán)節(jié)有技術優(yōu)勢的國家，重點加強與具備成熟技術的中小企業(yè)和研發(fā)團隊深度合作。

3、鼓勵企業(yè)和研究機構在國外建設孵化中心和技術創(chuàng)新中心，主動參與國際標準制定。

4、系統(tǒng)梳理國際化人才戰(zhàn)略，強化對國際人才的吸引力。