?以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領域的研究熱點。其中，氧化鎵（Ga2O3）具有超寬禁帶、超高臨界擊穿場強、抗輻照和低成本等優(yōu)勢，被譽為下一代電力電子器件最有利的競爭者，在高壓、大功率、高效節(jié)能等方面有非常大的應用潛力。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、CASA人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織籌辦。期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室高級工程師敦少博帶來了題為“高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考”的主題報告。

中國電子科技集團公司第十三研究所是中國成立最早、規(guī)模最大、技術力量雄厚、專業(yè)結(jié)構(gòu)配套的綜合性半導體研究所。主要涉及微電子、光電子 ink>和微機械電子系統(tǒng)（MEMS）等三大領域。報告詳細介紹國內(nèi)外在高耐壓氧化鎵MOSFET和SBD器件方面的最新進展，同時，介紹了中國電子科技集團公司第十三研究所在高耐壓氧化鎵功率器件方面所提出的一些新型器件結(jié)構(gòu)和新工藝技術。

報告指出，P型摻雜技術缺失依然是氧化鎵功率器件發(fā)展面臨的重大瓶頸問題，開發(fā)新型終端結(jié)構(gòu)、尋求替代方案是目前國際研究熱點之一 。氧化鎵二極管相對更成熟一些，小尺寸二極管進展迅速，部分性能已超越SiC材料理論極限， 在高壓、低導通特性顯現(xiàn)出一定的性能優(yōu)勢。當前仍亟需材料、器件與應用端協(xié)同攻關，實現(xiàn)高性能大尺寸功率器件研制，推動氧化鎵功率器件工程化應用。

CASICON 系列活動簡介

?“先進半導體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>