?半導體產業網獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系統可靠性條件下，本征擊穿已經達到2400V，可廣泛用于工業、新能源、以及汽車等領域。

公司致力于將氮化鎵做成主要的半導體功率器件，基于下一代技術持續挑戰3300V平臺，已經實現了重大突破。

致能科技成立于2018年12月20日，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設有生產研發基地和市場銷售中心。公司致力于氮化鎵功率半導體器件的研發與生產，已建成外延、器件、封裝、系統的全鏈條研發及生產能力。公司在常開型、常關型、垂直溝道氮化鎵功率器件等方面擁有多項獨特技術發明，具有完全自主知識產權。公司產品創新性強、可靠性高、應用廣泛，具有非常強的市場競爭力。

公司由具有20多年半導體研發經驗的海外歸國專家領銜創立，團隊核心成員均擁有全球著名半導體企業研發量產經歷。公司是國家級高新技術企業、廣東省專精特新中小企業，廣東省科技型中小企業、廣州未來獨角獸企業。

功率半導體器件是現代社會電能控制與轉化的核心部件。氮化鎵作為新興的寬禁帶半導體材料，以其為基礎的氮化鎵功率器件已成為下一代功率半導體的主要發展方向，是未來十年全球半導體行業聚焦的重點領域。氮化鎵功率器件具有速度快、能耗低、應用范圍廣等優點，可以大幅度降低應用系統的體積與成本，是支撐消費、工業、儲能、電動汽車、5G通信、激光雷達等產業未來發展的核心基礎部件。

公司采用垂直整合制造模式（IDM），包括氮化鎵外延材料生長、芯片制造、芯片封裝和測試的完整生產流程。公司已量產的第一代橫向氮化鎵功率器件產品在生產良率、工藝水平、系統效率及可靠性試驗等方面已做到業內領先，產品在手機快充、電源適配器、照明驅動、通信電源，儲能電源等領域客戶廣泛應用。

屆時，致能科技將攜最新產品方案亮相“第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）”，誠邀更多同仁交流互通，期待與大家的相聚鷺島，共襄盛會，共創未來！

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