9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再次獲得突破。

據悉，此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延設備，具備更快、更好、更穩定的特點，通過改進激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術，設備自動化性能更加成熟，提升產品生產效率。設備還成功引入新的摻雜技術，進一步提升產品良率，持續降低生產成本。

湖南省科技事務中心還透露，中國電科48所研發的8英寸設備在6英寸設備的基礎上進行創新，其外延層的厚度以及摻雜濃度的均勻性，都得到極大的提升：8英寸生長厚度均勻性小于1.5%，摻雜濃度均勻性小于4%，表面致命缺陷小于0.4個/cm²。