中國第三代半導體功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導體正式宣布完成新一輪戰(zhàn)略融資,投資方為東風汽車旗下直投平臺東風資管。
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息:第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈
近日,2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通
近日,2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通
前不久商務(wù)部宣布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制,未經(jīng)許可不得出口,從8月1日開始這個限制正式生效了。這兩種都是半導體行業(yè)中的
2023年7月26-28日,2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指
7月26-28日,江蘇省第三代半導體研究院邀您參加在西安召開的2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇。CASICON 2023西安論壇
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限,以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量,其在光電子,射頻
近幾年新能源車的爆發(fā),極大地促進了IGBT市場的發(fā)展。隨著全球電動車的銷量提升,新能源汽車的不斷普及,對于充電樁的需求日益增
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限,以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標準T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)閾值電壓測試方法》已完
【超38億元A輪股權(quán)融資創(chuàng)歷史】近日,安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權(quán)融資,融資規(guī)模創(chuàng)國內(nèi)第三代半導體
隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大和需求的增長,絕緣柵雙極型晶體管(簡稱IGBT)作為功率電子器件的核心之一,是能源變換與傳輸?shù)?/p>
綠色低碳發(fā)展、萬物智能互聯(lián)成為全球共識,第三代半導體是推動新能源汽車、智能電網(wǎng)、先進制造、移動通信、新型顯示等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲做《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》主題綜述報告。
科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優(yōu)異性能,在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場。科技部一直高度重視第三代半導體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,從“十五”期間開始給予了長期持續(xù)支持,建立了從材料、器件到應(yīng)用的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作,加強統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局,加強人才培養(yǎng),加強國際合作,推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機銜接,強化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。
在中關(guān)村論壇上,北京(國際)第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦,國聯(lián)萬眾二期、晶格領(lǐng)域二期、特思迪半導體二期、銘鎵半導體擴產(chǎn)項目等6個產(chǎn)業(yè)項目成功簽約,預(yù)計總投資近18億元。順義,一個在全國具有較強影響力的第三代半導體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)初見雛形。
在5月28日舉辦的2023中關(guān)村論壇平行論壇北京(國際)第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇上,北京市順義區(qū)面向全球推介第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)
與第一代半導體(如硅、鍺)和第二代半導體(如砷化鎵、銻化銦)材料相比,以氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硫化鎘(CdS)、碳
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